技術資料

直徑	150毫米		200毫米			300毫米
年級	測試、回收		測試、回收			測試、回收
類型	氮、磷			氮、磷			氮、磷
	測試	>625微米	測試	>700微米		測試	>760um
	測試	@0.16um<30個	測試	@0.08um<=40ea		測試	@0.08um<=60ea
	回收	>550微米	回收	>600微米		回收	>650微米
	回收	@0.2um < 30ea	回收	@0.2um<=30ea		回收	@0.16um<=30ea
電阻率		0 - 100歐姆-厘米		0 - 100歐姆-厘米			0 - 100歐姆-厘米
台視		<=15微米		<=25微米			<=10um
翹曲		<=50um		<=50um			<=100um
金屬色污染		<5E10		<50E10			<2.5E10

埃皮水

根據客戶要求

測試晶圓：標準規格

<半導體>

	50毫米	75毫米	100毫米	125毫米	150毫米	200毫米	300毫米
厚度(μm)	280±25	380±25	525±25	325±25	675±25	725±25	775±25
弓形(μm)	≤38	≤40	≤40	≤40	≤40	≤60	≤65
TTV(μm)	≤15	≤25	≤25	≤25	≤25	≤25	≤25

※如需定制，請諮詢我們。

虛擬轉接板晶圓

規格：
1．尺寸：4".5".6".8" 和 12"。矽片（新矽片和再生矽片）
2．類型：P/N 型
3．正面/背面：拋光/蝕刻/拋光
4．顆粒：≧0.2um@≤30ea
5．電阻率：0~100

應用：
1．機械測試
2．測試
3．切割/鋸切
4．塊與控制晶圓
5．研磨

6．中介層

回收晶圓

描述：
1．回收使用過的矽片Dummy Wafer和控製片，並對加工後的矽片表面進行再處理

例如，採用化學和機械處理，將光阻表面的氧化膜金屬層剝離。

2、根據客戶的需求，我們將接受與生產晶圓時相同的生產流程和嚴格的品質控制，使回收矽片Dummy Wafer和控制晶圓滿足客戶要求的厚度、清潔度和平整度標準。

應用：

1．機械測試
2．測試
3．切割/鋸切
4．塊及控制晶圓
5．研磨

金屬導膜加工

註：
可依客戶要求提供以下疊層矽片加工。
1．氮化膜SiON
2．氧化膜SiO2
3．金屬：AL等

應用：
1．機械測試
2．測試
3．切割/鋸切
4．塊與控制晶圓
5．研磨

插入墊片

規格：

1．尺寸：4".5".6".8"和12"矽片（新的和回收的）
2．類型/摻雜：P/N型
3．正面/背面：拋光/蝕刻
4．不同等級可依客戶需求提供

應用：

1．機械測試
2．測試
3．切割/鋸切
4．塊及控制晶圓
5．研磨
包裝：1．硬幣卷2．晶圓盒/盒3．罐子

菊花鏈晶圓

說明：可提供 6“ 和 8” 銲線測試矽晶圓片，間距從 00um~250um
應用：供封裝廠驗證先進銲線製程

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